要害字：薄膜電容，電解電容，陶瓷電容，鋁電解電容，鉭電容，安規(guī)電容

之前的文章中，先容了電感的一些常識。本文將談?wù)勲娙?，先容電容的常識和如何選型。

一、電容的根基道理

電容，和電感、電阻一起，是電子學(xué)三大根基無源器件；電容的成果就是以電場能的形式儲存電能量。

以平行板電容器為例，簡樸先容下電容的根基道理

如上圖所示，在兩塊間隔較近、彼此平行的金屬平板上(平板之間為電介質(zhì))加載一個直流電壓；不變后，與電壓正極相連的金屬平板將泛起必然量的正電荷，而與電壓負(fù)極相連的金屬平板將泛起相等量的負(fù)電荷；這樣，兩個金屬平板之間就會形成一個靜電場，所以電容是以電場能的形式儲存電能量，儲存的電荷量為Q。

電容儲存的電荷量Q與電壓U和自身屬性(也就是電容值C)有關(guān)，也就是Q=U*C。按照理論推導(dǎo)，平行板電容器的電容公式如下：

抱負(fù)電容內(nèi)部是介質(zhì)(Dielectric)，沒有自由電荷，不行能發(fā)生電荷移動也就是電流，那么抱負(fù)電容是如何通交換的呢？

通交換

電壓可以在電容內(nèi)部形成一個電場，而交換電壓就會發(fā)生交變電場。按照麥克斯韋方程組中的全電流定律：

即電流或變革的電場都可以發(fā)生磁場，麥克斯韋將ε(?E/?t)界說為位移電流，是一個等效電流，代表著電場的變革。(這里電流代表電流密度，即J)

設(shè)交換電壓為正弦變革，即：

實(shí)際位移電流便是電流密度乘以面積：

所以電容的容抗為1/ωC，頻率很高時，電容容抗會很小，也就是通高頻。

下圖是操作ANSYS HFSS仿真的平行板電容器內(nèi)部的電磁場的變革。

橫截面電場變革(GIF動圖，貌似要點(diǎn)擊查察)

縱斷面磁場變革(GIF動圖，貌似要點(diǎn)擊查察)

也就是說電容在通交換的時候，內(nèi)部的電場和磁場在彼此轉(zhuǎn)換。

隔直流

直流電壓不隨時間變革，位移電流ε(?E/?t)為0，直流分量無法通過。

實(shí)際電容等效模子

實(shí)際電容的特性都長短抱負(fù)的，有一些寄生效應(yīng)；因此，需要用一個較為巨大的模子來暗示實(shí)際電容，常用的等效模子如下：