在交變電壓的浸染下，電容器并不是以純真的電容形式呈現(xiàn)，它除了具有電容量以外，還存在必然和電感和電阻。在頻率較低時(shí)，它們的影響很小可以不予思量；跟著事情頻率的得高，電感和電阻的影響不能忽視，嚴(yán)重時(shí)大概會(huì)使電容器失去浸染。
因此，我們一般用四個(gè)主要的參數(shù)來權(quán)衡片式電容的一般電機(jī)能：電容量（Capacitance）、損耗角正切（Dissipation Factor）、絕緣電阻(Insulation Resistance)、耐電壓(Dielectric Withstanding Voltage)。
一、電容量（C）
電容量的巨細(xì)暗示電容器貯存電荷的本領(lǐng)。一般用HP電橋測(cè)試。兩層平行金屬極板中的陶瓷介質(zhì)為什么能貯存電荷能？這是因?yàn)樘沾山橘|(zhì)具有一種非凡的物理特性：電極化（簡(jiǎn)稱極化）。從電學(xué)的角度來看， 東莞貼片鋁電解電容廠家，一般導(dǎo)體，譬喻金屬和電解質(zhì)，其原子和分子對(duì)周圍電子的束縛力很小，我們稱這些電子為自由電子（或叫自由電荷）。在電場(chǎng)的浸染下，自由電子將沿電場(chǎng)力的偏向作定向舉動(dòng)，形成電流。但在陶瓷介質(zhì)中，原子、分子中正負(fù)電荷卻以其價(jià)健或離子健的形式存在，彼此間強(qiáng)烈地束縛著，我們稱之為束縛電荷。在電場(chǎng)的浸染下，這些正負(fù)電荷只能作微觀標(biāo)準(zhǔn)上相對(duì)位移。由于電荷的相對(duì)位移，在原子、分子中就發(fā)生了感到偶極矩，我們稱之為極化。在外電場(chǎng)的浸染下，偶極分子將沿電場(chǎng)偏向定向偏轉(zhuǎn)，從而在陶瓷介質(zhì)的外貌形成相應(yīng)的感到電荷。從而電荷就被貯存在電容器中。

圖4-片式電容器的極化圖
電容量的單元是法拉，但在實(shí)際應(yīng)用中法拉的單元太大，一般回收毫法（mF），微法（uF），納法（nF）和皮法（pF）。它們之間的干系如下：
1F = 103mF = 106uF = 109nF = 1012pF
片式電容器的電容量除了由它自己的設(shè)計(jì)與質(zhì)料特性所抉擇外，在很洪流平下同它的測(cè)試條件、溫度、電壓和頻率有很大的干系。對(duì)付Ⅰ類電容器（COG），其電機(jī)能受上述因素的影響相對(duì)較小，但對(duì)付Ⅱ類電容器（X7R、Z5U、Y5V），其電機(jī)能受上述因素的影響相對(duì)較大。
1、 電容量與溫度的干系
溫度是影響電容器電容量的一個(gè)重要因素，我們把電容量同溫度的這種干系特性叫收電容器的溫度特性(Temperature Coefficient)。一般說來，對(duì)付較為不變的Ⅰ類電容器，其影響相對(duì)較小， 4.7uf 50v，險(xiǎn)些沒有變革，故我們用PPM/℃來暗示它的容量變革率；對(duì)付Ⅱ類電容器，其影響相對(duì)較大，故我們用”％”來暗示它的容量變革率。

2、 電容量與直流電壓的干系
在電路的實(shí)際應(yīng)用中，電容器兩頭大概要放加一個(gè)直流電壓，我們把電容器的這種環(huán)境下的特性叫做直流偏壓特性。今朝直流偏壓特性較好的質(zhì)料有BX。這種質(zhì)料是在通過對(duì)X7R質(zhì)料改性而得來。別的也可以通過增加介質(zhì)厚度的要領(lǐng)，取得較好的電容器偏壓特性。

電壓/密爾介質(zhì)厚度
圖7-偏壓與電容量變革率的干系
從圖可以看出，對(duì)付一個(gè)X7R和BX材質(zhì)的產(chǎn)物來說，介質(zhì)厚度根基正比于偏壓特性。好比，溝通容量（100nF）的一個(gè)產(chǎn)物，三種差異的介質(zhì)厚度設(shè)計(jì)就有三種差異的偏壓特性，介質(zhì)厚度越厚，產(chǎn)物的偏壓特性就越好。

3、 電容量與交換電壓的干系
同樣，Ⅰ類電容器的交換特性較量好，根基不隨施加電壓的變革而變革?？墒?，對(duì)付Ⅱ類電容器，其容量根基是隨所加電壓的升高而加快遞升的，出格X7R此特性較量明明。

在日常的測(cè)試中，我們一般是1.0±0.2V做為電容量與損耗角正切的測(cè)試電壓，電壓較低，因此，對(duì)付同一容量回收差異的介質(zhì)厚度設(shè)計(jì)，最終所表示出來的容量值不會(huì)有太大的差別?？墒牵虑殡娐分薪粨Q電壓的差異，這種差別會(huì)較為明明。

4、 電容量與事情頻率的干系
對(duì)付Ⅰ類電容器其應(yīng)用頻率的增加，它的容值不會(huì)有什么變革，但對(duì)付Ⅱ類電容器，容值下降較為明明?，F(xiàn)舉譬喻下：

二、絕緣電阻（ＩＲ）；
完全不導(dǎo)電的絕緣體是沒有的。在電介質(zhì)中凡是或多或少存在正、負(fù)離子，這些離子在電場(chǎng)浸染下將定向遷移，形成離子電流，我們稱之為體內(nèi)泄電流。凡是，在電容器的外貌，也會(huì)或多或少地存在正負(fù)離子，這些離子在外電場(chǎng)的浸染下，會(huì)產(chǎn)生定向遷移，形成外貌泄電流。因此，電容器的泄電流是陶瓷介質(zhì)中體內(nèi)泄電流與芯片外貌的泄電流兩部門構(gòu)成。我們把加在介質(zhì)兩頭的電壓和泄電流之比稱之為介質(zhì)的絕緣電阻。
Ｒ＝Ｕ／Ｉ
由上可知，電容器的絕緣電阻便是外貌絕緣電阻與體內(nèi)絕緣電阻相并聯(lián)而成。因此，電容器的絕緣電阻除了同其自己所固所介質(zhì)特性外，同外界情況溫度、濕度等有很大的干系。
溫度對(duì)絕緣電阻的影響主要表示在溫度升高時(shí)，瓷介的自由離子增多，泄電流急劇增加，介質(zhì)絕緣電阻迅速低落。但防潮欠好的小容量電容器外貌泄電流較大，跟著溫度的升高，外貌潮氣蒸發(fā)，外貌絕緣電阻上升。
濕度對(duì)電容器電機(jī)能影響最大，會(huì)因外貌吸潮使外貌絕緣電阻下降。
三、損耗（ＤＦ）和品質(zhì)因數(shù)（Q）
在外加電壓浸染下，單元時(shí)間內(nèi)因發(fā)燒而耗損的能量，叫電容器的損耗。抱負(fù)的電容器把從電源中獲得的能量，全部貯存在電容器有介質(zhì)中，不產(chǎn)生任何形式的能量耗損，事實(shí)上電容器在外加電壓的浸染下是要耗損能量的，介質(zhì)泄電流，遲鈍極化（電偶極矩在電場(chǎng)浸染下產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)），表里電極金屬部位的等效電阻城市耗損一部門能量，形成電容器的損耗。過高的電容器損耗會(huì)發(fā)生熱量使電容器溫度升高，造成電路事情狀態(tài)不不變，加快電容器的老化。