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如何選擇電容器實(shí)330UF 50V現(xiàn)高機(jī)能的EMI濾波

時間: 2021-03-28 瀏覽次數(shù):
恒久以來,一直利用旁路和去耦電容來減小PCB上發(fā)生的各類噪聲,也。由于本錢相對較低,利用容易,尚有一系列的

恒久以來,一直利用旁路和去耦電容來減小PCB上發(fā)生的各類噪聲,也。由于本錢相對較低,利用容易,尚有一系列的量值可選用,電容器經(jīng)常是電路板上用來減小電磁滋擾(EMI)的主要器件。由于寄生參數(shù)具有重要的影響,故電容器的選擇要比其容量的選擇更為重要。制造電容器的要領(lǐng)許多,制造工藝抉擇了寄生參數(shù)的巨細(xì)。

電氣器噪聲可以以很多差異的方法引起。在數(shù)字電路中,這些噪聲主要由開關(guān)式集成電路,電源和調(diào)解器所發(fā)生,而在射頻電路中則主要由振蕩器以及放大電路發(fā)生。無論是電源和地平面上,照舊信號線自身上的這些滋擾都將會對系統(tǒng)的事景象成影響,別的還會發(fā)生輻射。

本文將重點(diǎn)接頭多層陶瓷電容器,包羅外貌貼裝和引腳兩種范例。接頭如何計較這些簡樸器件的阻抗和插入損耗之間的彼此干系。文中還先容了一些改造型規(guī)格的測試,如引線電感和低頻電感,別的, 33UF 25V,還給出了等效電路模子。這些模子都是按照測得的數(shù)據(jù)導(dǎo)出的,還先容了相關(guān)的測試技能。針對差異的制造工藝,測試了這些寄生參數(shù),并繪制出了相應(yīng)的阻抗曲線。

<STRONG>阻抗和插入損耗STRONG>

所幸的是,電容器還算簡樸的器件。由于電容器是一個雙端口器件,故僅有一種要領(lǐng)與傳輸線并接。不要將該器件看作一只電容器,更容易的要領(lǐng)是將其看作為一個阻抗模塊。當(dāng)其與傳輸線并聯(lián)時,甚至可以將其視作為一個導(dǎo)納模塊(見圖1)。

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高機(jī)能的EMI濾波

 

圖1:將電容器視作為阻抗模塊。

 
這種毗連方法的ABCD參數(shù)可以暗示為:

 

然后,操作ABCD參數(shù)和散射(S)參數(shù)之間的干系,可以獲得插入損耗S21的幅度為:

 

式中,Z??=阻抗幅度

Z0=傳輸線阻抗

??=阻抗模塊的相角

有一些插入點(diǎn)可以來調(diào)查方程2。首先,對付一個高機(jī)能的陶瓷電容器來說,其相角在整個頻段中都很是靠近±90°,只有諧振點(diǎn)四周除外(見圖2)。

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高機(jī)能的EMI濾波

 

圖2:1000-pF陶瓷電容器的典范阻抗幅相特性。

 

已知±90°的余弦靠近0,故方程2可以被簡化為:

 

故該相角可以被忽略,而且在絕大大都的頻譜上都能給出較好的功效。另一個很好的近似是當(dāng)Z0>>?Z??時,方程3可以被進(jìn)一步簡化為:

 

作為一個例子, 220UF 25V,表1中給出了對一只1000-pF的旁路電容器測出的阻抗及由此計較出來的插入損耗。所有的插入損耗數(shù)據(jù)都基于50歐阻抗。如表中所給出,一旦電容器的阻抗開始增加到50歐,方程3將快速產(chǎn)生突變。

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高機(jī)能的EMI濾波

 

表1:1000-pF旁路電容器的阻抗和求得的插入損耗。

 

這些方程中的獨(dú)一問題就是需要知道一系列差異電容值的阻抗。

多層陶瓷電容器(MLCC)串聯(lián)模子

對付MLCC電容器來說,最簡樸的(雖然也是最有效的)模子是串聯(lián)模子(見圖3)。

 

圖3:陶瓷電容器的等效串聯(lián)模子。

 

該模子給出了合用于絕大大都外貌貼裝MLCC的正確阻抗曲線。記著電容值將隨溫度和直流偏置而變革。等效串聯(lián)電阻(ESR)隨溫度、直流偏置和頻率變革,而等效串聯(lián)電感(ESL)卻根基保持穩(wěn)定。對阻抗來說,也許最重要的部門是諧振點(diǎn),因為這是衰減最大的頻率。眾所周知,計較諧振頻率的公式是:

 

對付種種外貌貼裝的差異封裝的電感值,可以操作方程2中所描寫的丈量技能來計較。譬喻,假如系統(tǒng)中發(fā)生了800MHz的噪聲,隨后可以在PCB大將其定位到一個確定的區(qū)域。選擇一個標(biāo)稱容量為39pF的電容,并將其安裝到盡大概接近發(fā)生噪聲的處所,這對付減小EMI來說,將是最好的選擇。減小矩形芯片電感的一個有效方法就是改造芯片縱長偏向端頭的設(shè)計。所選電容器的阻抗曲線如圖4所示。留意通過改變縱橫比,寄生電感減小了約莫50%,即從1200pH減小到600pH。這有效地偏移開了最大衰減點(diǎn),故在操作這些器件來舉辦EMI濾波時只需緊記這一點(diǎn)。

如何選擇電容器實(shí)現(xiàn)高機(jī)能的EMI濾波

 

圖4:兩只0.1 μF電容器的阻抗曲線較量。

 

低電感電容的最大利益表此刻數(shù)字電路退耦中。操作如下簡樸的電感方程:

 

操作低電感芯片來低落電感,可以減小集成電路中開關(guān)時所發(fā)生的總電壓噪聲。

引腳電容器

引腳電容相對付外貌貼裝電容器,除了增加了引腳之外,其他并沒有什么差異。其等效模子與MLCC模子一樣,除了增加了引腳所發(fā)生的電感之外,見圖5。

TAG標(biāo)簽: 電容器 濾波 EMI
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